首批次-07-先进半导体材料和新型显示材料

首批次对接
序号大类小类材料名称性能要求
203关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料晶体封装材料蓝光器件寿命≥300小时，发光效率9.93cd/A；红光器件寿命≥600小时，发光效率68.61cd/A；绿光器件寿命≥400小时；发光效率184.84cd/A。
204关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料有机发光半导体显示用玻璃基板应变点温度≥750℃,软化点≥1050℃,杨氏模量≥83GPa，UV透过率（308nm）≥70%。
205关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料超薄柔性玻璃厚度≤100μm，弯折半径≤2mm，动态弯折次数（R=3mm）≥40万次。
206关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料光掩膜版（1）G11代光掩膜版：基板尺寸1620×1780×17mm，基板平坦度≤20μm，图形精度±0.20μm，总长精度±0.5μm，半色调膜层透过率均匀性≤2%；（2）LTPS用光掩膜版：基板尺寸范围包括800×920mm、800×945mm、980×1150mm、850×1200mm，基板平坦度≤20μm，图形精度±0.10μm，位置精度±0.3μm，总长精度±0.5μm；（3）CF用光掩膜版：基板尺寸1220×1650×15mm，基板平坦度≤30μm，图形精度±0.5μm，位置精度±0.75μm，总长精度±0.75μm，半色调透过率公差±1.5%；（4）248nm用光掩膜版：基板尺寸152×152×6.35mm，基板平坦度≤0.5μm，图形精度±50nm，缺陷精度≥100nm的缺陷≤30个，涂胶均匀性≤50nm；（5）193nm用光掩膜版：基板尺寸152×152×6.35mm，基板平坦度≤0.2μm，图形精度±20nm，缺陷精度≥60nm的缺陷≤30个，涂胶均匀性≤30nm；（6）G8.6TFT用光掩膜版：基板尺寸980×1550×10mm，基板平坦度≤20μm，图形精度±0.15μm，位置精度±0.5μm，总长精度±0.5μm，半色调透过率公差±1.5%。
207关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料OLED用发光层、传输层及油墨材料（1）发光层材料：在10mA/cm2电流密度条件下，蓝光器件性能：CIE-y≤0.05，电流效率≥9cd/A，寿命LT95≥800h；绿光器件性能：CIE-x≥0.24，电流效率≥180cd/A，寿命LT95≥1300h；红光器件性能：CIE-x≥0.68，电流效率≥80cd/A，寿命LT95≥1600h；（2）有机小分子电子传输层材料（ET）：玻璃化转变温度≥130℃,能带宽度（Eg）≥2.7eV，迁移率（Mobility）≥5.0×10-5cm²V-1S-1；（3）有机小分子空穴传输层材料（HT）：玻璃化转变温度≥130℃,能带宽度（Eg）≥2.5eV，迁移率（Mobility）≥1.0×10-3m²V-1S-1；（4）印刷OLED油墨材料：油墨性能：水分含量≤0.02%；金属离子含量≤50ppb；卤素含量≤2ppm；粘度：4～15cP；Particle（size≥0.5μm）少于200个；Particle（0.5μm≥size≥0.2μm)）少于1000个；红光器件性能：在CIEx≥0.68光色下电流效率≥50cd/A，寿命LT95≥12000h；绿光器件性能：在CIEy≥0.70光色下电流效率≥150cd/A，寿命LT95≥10000h；蓝光器件性能在CIEy≤0.06光色下电流效率≥7.0cd/A，寿命LT95≥300h；（5）OLED高折射油墨：液态粘度18～23cP@25℃;薄膜折射率1.62；可靠性≥500hrs@85℃/85RH；（6）OLED低介电薄膜封装油墨：液态粘度18～23cP@25℃;薄膜介电常数≤2.7；可靠性≥500hrs@85℃/85RH。
208关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料OLED基板用聚酰亚胺材料（YPI）固含量10%～25%，粘度3000～8000CP，拉伸强度≥330MPa，水份≤1%，玻璃化转变温度≥450℃,热分解温度Td1%≥500℃。
209关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料MiniLED反射膜PSA涂层厚度10～40μm，拉伸强度（MD/TD）≥60MPa，断裂伸长率（MD/TD）≥30%，热收缩（85℃/30min）：MD≤0.3%，TD≤0.2%；反射率≥95.0%，剥离强度≥1500gf/inch。
210关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料新能源汽车用电容膜薄膜厚度≤4.0μm，纵向拉伸强度≥170MPa，横向拉伸强度≥200MPa，纵向断裂伸长率≥100%，横向断裂伸长率≥40%。
211关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料荧光粉膜色域≥80%NTSC，透光度≥50%，雾度≥80%，均一性≥80%。
212关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料TFT-LCD用偏光片PVA的保护膜宽幅2500mm；厚度40±5μm；全光线透过率≥91%；波长380nm透过率6±3%；雾度值≤1%；位相差Ro≤3，Rth≤3。
213关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料光学级膜材料（1）光学级聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）基膜：光学性能：R0≤1.5nm，Rth2.0～3.5nm，透过率≥90%，雾度≤1%，b值≤1，表面硬度≥2H；（2）光学级三醋酸纤维薄膜（TAC）基膜：光学性能：R0≤1.0nm，Rth-20～10nm，透过率≥90%，拉伸强度≥60MPa，断裂拉伸率≥10%，尺寸收缩率≤0.5%；（3）光学级聚乙烯醇（PVA）膜：光学性能：偏光度≥90%，透过率≥40%，完全溶解温度≥70℃,水分率≤2.5%，面积膨润度MD≥1.15、TD≥1.15。
214关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料显示用聚酰亚胺及取向剂（1）柔性显示盖板用透明聚酰亚胺：透光率≥89%，可弯折次数≥20万次；（2）摩擦取向型聚酰亚胺液晶取向剂：VHR≥97%，预倾角1.5～2.8°,RDC(mV)≤100；（3）光取向型聚酰亚胺液晶取向剂：波长254nm，预倾角0～1°,RDC(mV)≤300；（4）PSVA型TFT液晶显示用聚酰亚胺取向剂：波长313nm，预倾角88～89°,VHR≥97%（5V），IonDensity≤300pC。
215关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料芯片用5N5超纯铝及铝合金铸锭纯度≥99.9995%；氢含量≤0.08mL/100g；棒材合格率以水浸超声探伤检测为准，其中大于0.8mm缺陷为0，每600mm长铸锭0.60.8mm缺陷不超过3个。
216关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料化合物半导体材料用高纯砷晶粒规格5～15mm，纯度≥7N5，杂质总和≤0.5ppm。
217关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料高纯钨及钨合金靶材纯度≥5N5，致密度≥99%，靶材中间厚度位置与上下底面位置晶粒尺寸偏差≤10%，主要晶体学取向占比偏差≤5%，平面度≤0.2mm，溅射面表面粗糙度0.2～0.4µm，靶材直径≥450mm，满足集成电路领域8英寸和12英寸溅射机台使用要求。
218关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料氮化镓单晶衬底及外延片（1）氮化镓单晶衬底：4英寸及以上，位错密度≤5×106cm-2，表面粗糙度≤0.3nm，N型氮化镓单晶衬底电阻率≤0.05Ω·cm，半绝缘氮化镓单晶衬底电阻率≥106Ω·cm；（2）氮化镓外延片：8英寸及以上，方阻≤400Ω/□,二维电子气浓度≥8×1012cm-2，翘曲≤50µm，迁移率≥1500cm2V-1S-1。
219关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料碳化硅单晶衬底及同质外延片（1）碳化硅单晶衬底：6英寸及以上，微管密度≤0.2/cm2，TTV≤10µm，BOW：-15～15µm，Warp≤35µm，表面粗糙度Ra≤0.15nm；N型碳化硅衬底电阻率0.015～0.025Ω·cm，BPD≤1000/cm2；半绝缘碳化硅衬底电阻率≥1010Ω·cm。（2）碳化硅同质外延片：大于6英寸，外延片内浓度不均匀性≤10%；外延片内厚度不均匀性≤5%；外延表面缺陷密度≤1cm-2；外延表面粗糙度≤0.3nm。
220关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料半导体装备用精密陶瓷部件（1）刻蚀装备用碳化硅电极：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度≥29GPa，电阻率0.005～80Ω·cm；（2）刻蚀装备用碳化硅环：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度≥29GPa；（3）刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm3；导热系数（室温）≥27W/(m·K)；线性热膨胀系数(室温-1000℃)≤3.5×10-6/K;;抗弯强度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韦伯模量≥9；关键尺寸精度±0.02mm；表面粗糙度0.3～5μm，尺寸颗粒≤5000count/cm2，表面有机物≤0.1μg/cm2；（4）6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟：密度≥3.1g/cm3，导热系数≥160W/(m·K)，纯度≥99.9%，抗弯强度≥370MPa;（5）6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅舟：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度≥29GPa；（6）6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管：纯度≥99.96%，密度≥2.9g/cm3，抗压强度≥350MPa；热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1；（7）6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅炉管：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度≥29GPa。
221关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料电子封装用热沉复合材料（1）WCu：熔渗态密度≥11.6g/cm3，CTE6.5～13.5ppm/K，TC165～290W/(m·K)；（2）MoCu：轧制退火态密度≥9.2g/cm3，熔渗态密度≥9.1g/cm3，CTE6.5～13.5ppm/K，TC155～210W/(m·K)；（3）CMC：CTE7～10ppm/K，TC150～300W/(m·K)；（4）CPC：CTE8～11.5ppm/K，TC180～300W/(m·K)。
222关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料4-6英寸低位错锗单晶单晶直径≥104mm，单晶长度≥120mm，单晶晶向：＜100＞偏＜111＞9°±1°,导电型号P型，电阻率0.001～0.05Ω·cm，径向电阻率不均匀性≤15%，位错密度≤500/cm2。
223关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料硅基微阵列透镜硅基底，口径230μm与700μm，周期250μm与750μm，曲率半径0.3mm、1.4mm、1.9mm、3.1mm、4.0mm；厚度300～500μm。
224关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料8-12英寸硅单晶抛光片和外延片（1）8英寸轻掺硅单晶抛光片：晶向(100)，P型，硼掺杂，电阻率1～200Ω·cm，氧含量6～15ppma，≥90nm的颗粒少于80颗；尺寸要求：外径200mm±0.2mm，厚度600～750μm，厚度允许偏差±15μm，总厚度变化≤4μm；总平整度≤3μm；局部平整度（SBIR25×25）≤0.8μm；弯曲度≤40μm；翘曲度≤40μm；（2）8英寸重掺硅单晶抛光片：晶向(100)/(111)，P型/N型，硼/磷/砷/锑掺杂，电阻率0.0007～0.08Ω·cm，氧含量8～18ppma，≥120nm的颗粒少于200颗；尺寸要求：外径200mm±0.2mm，厚度600～750μm，厚度允许偏差±15μm，总厚度变化≤5μm；总平整度≤4μm；局部平整度（SBIR25×25）≤1.2μm；弯曲度≤60μm；翘曲度≤60μm；（3）12英寸硅单晶抛光片：外径300mm±0.2mm，厚度允许偏差±25μm，总厚度变化≤3μm，翘曲度≤50μm，局部平整度（SFQR25×25）≤0.1μm。（4）12英寸硅单晶外延片：产品类型N/N，掺杂元素磷；外延电阻率≥80Ω·cm；电阻率梯度≤7%；外延层厚度≥80μm；厚度偏差≤3.5%；BOW≤45μm；Warp≤60μm。
225关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料高容及小尺寸MLCC用镍内电极浆料镍粉0.15～0.20μm，最大粒径≤0.5μm，固含量55±3%，粘度10rpm19±2Pa·s，干膜密度≥5g/cm3，热膨胀系数15±3%（1000～1200℃),能在厚度3µm以下的介质上通过丝印工艺形成精确的外观图形。
226关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料片阻用高精度低阻阻浆金属粉：银钯含量55±10%，粘度250±50Pa·s/25℃（BROOKFIELD粘度计，CP52转子，2.0PRM），细度90%处≤5μm，第二条线≤7μm；电性能：方阻8～10Ω,TCR≤100PPM；方阻800～1000mΩ,TCR≤100PPM；方阻90～100mΩ,TCR≤100PPM；方阻10～20mΩ,TCR≤400PPM；各相邻方阻可以互相混配；可靠性：短时过载、断续过载、低温负载、温度快速变化、稳态湿热（1000h）、耐久性（155℃和-55℃下各1000h）、双85高温高湿（1000h）：ΔR≤±1%。
227关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料区熔用多晶硅材料外观要求：直径≥120mm，直径变化≤1mm，椭圆度≤1mm，同轴度≤1mm；电学性能要求：施主杂质浓度≤0.04×10-9（ppba），受主杂质浓度≤0.02×10-9（ppba），碳浓度≤2.0×1015atoms/cm3，氧浓度≤5×1015atoms/cm3，少数载流子寿命≥1500μs，基体金属杂质Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na总含量≤1ng/g。
228关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料5G滤波器专用浆料粘度10±3Kcps/25℃;含银量73.5±2.0%；无机物含量78.0±2.0%。
229关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料电子级环氧树脂（1）电子级环氧树脂：可水解氯≤200ppm，总氯≤250ppm，氯离子≤5ppm；（2）电子级氢化双酚A环氧树脂：可水解氯≤50ppm，总氯≤200ppm，氯离子≤5ppm，环氧当量180～210g/mol，粘度600～900厘泊/25℃;（3）超高耐热脂环族环氧树脂：环氧当量100～110g/mol，粘度50～70厘泊/25℃,水分≤0.05%，总氯≤300ppm，环氧-酸酐固化体系Tg≥260℃。
230关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料异方性导电胶膜导通电阻≤0.5Ω;绝缘电阻≥109Ω;粘结强度≥1000gf/cm。
231关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料超高纯聚偏氟乙烯材料熔融指数：挤出级2～8g/10min（230℃,5kg）；静态热稳定性：A级以上（250℃,30min）；TOC：≤40000μg/m2；阴离子和金属离子析出：符合SemiF57。
232关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料2-4英寸高品质磷化铟晶片（1）单晶直径≥52mm，单晶长度≥90mm，单晶晶向：＜100＞0°±0.5°;（2）掺S磷化铟，导电型号N型，载流子浓度2.0～8.0×1018cm3，迁移率≥1000cm2V-1S-1，径向电阻率不均匀性≤15%，位错密度≤500/cm2。（3）掺Fe磷化铟，导电型号P型，电阻率≥1×107Ω.cm，迁移率≥2000cm2V-1S-1，径向电阻率不均匀性≤15%，位错密度≤1000/cm2。
233关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料4-6英寸低位错密度掺硫磷化铟单晶衬底单晶晶向(100)0.1度+/-0.05度；平均位错密度小于150/cm2；位错密度最大值小于3000/cm2；载流子浓度1～9×1018/cm3；电子迁移率800～2200cm2V-1S-1；电阻率5×10-4Ω.cm至3×10-3Ω.cm。
234关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料半导体用超高纯石墨灰分≤5ppm；B、Al、Fe含量≤0.01ppm；电阻率(μΩ·m）11～15。
235关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板空洞率（C-SAM，分辨率50μm）≤0.3%；剥离强度（N/mm）≥10；冷热冲击寿命（cycle）≥5000；可焊性≥95%；打线性能：剪切力≥1000gf。
236关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料高可靠性封装的金锡合金（1）用于高可靠性封装的金锡合金预成形焊片：成分：金锡合金，Au质量分数78～80%；厚度≥7μm；长宽最小尺寸0.2mm；熔化温度(℃)：280±3；焊接空洞率：≤3%；（2）用于先进封装的金锡合金焊膏：焊粉成分：金锡合金，Au质量分数78～80%；粘度（Pa·s）：10～300；熔化温度(℃)：280±3；焊粉粒径：5～45μm；含氧量≤50ppm，不含卤素；（3）用于高可靠气密性封装的预置金锡盖板：焊料成分：金锡合金，Au质量分数78～80%；焊料熔化温度(℃)：280±3；盖板镀层：六面镀镍金，镀层厚度Ni（1.27～8.9μm）/Au（0.65-5.7μm）；耐盐雾：≥24H。
237关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料半导体芯片封装导热有机硅凝胶导热系数≥3.6W/(m·K)，储能模量≤70kPa，断裂伸长率≥100%，shore00硬度≤65，高温、高低温交变、高温高湿、芯片覆盖率≥89%。
238关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料半导体芯片封装自粘接导热硅橡胶导热≥1.8W/(m·K)；拉伸强度≥4Mpa；shoreA硬度≥65；拉伸剪切强度≥3.0Mpa。
239关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料封装基板用高解析度感光干膜及配套PET膜（1）封装基板加工图形化工艺使用感光干膜，25/25μm线路等级，解析/附着12/12μm水平；（2）封装基板加工图形化工艺使用感光干膜，15/15μm线路等级，解析/附着10/10μm水平；（3）封装基板25/25μm线路感光干膜用PET膜，开口剂颗粒物直径≤2μm，透光率≥90%。
240关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料封装基板用高性能阻焊载板用液态阻焊，Tg110～120℃TMA（+/-10），CTE50～60ppm/℃(≤Tg@TMA），CTE125～135ppm/℃(≤Tg@TMA），兼容ENEPIG工艺，HAST96h等可靠性满足。
241关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料封装载板用电子化学品-闪蚀药水电镀化镀速率比1:1.5～1:1.2；蚀刻后线宽（线中）公差±3μm@25um成品线宽；上下线辐比大于80%。
242关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料超高纯化学试剂（1）半导体级硫酸：金属离子（半导体级）≤0.01ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤100个/mL；（2）八甲基环四硅氧烷：纯度≥99.9999%，杂质总和≤5ppb，Al≤1ppb，钴≤1ppb，铁≤1ppb，锰≤1ppb，镍≤1ppb；水≤10ppm；（3）四甲基硅烷：纯度≥99.99%，杂质总和≤1ppb，Al≤0.2ppb，钴≤0.2ppb，铁≤0.2ppb，锰≤0.2ppb，镍≤0.2ppb；氯含量≤1ppm，水≤10ppm，颗粒度(≥0.2μm）≤10pcs/mL；（4）乙酸乙酯、甲基异丁基甲酮、异丙醚：UPS级：金属离子≤1ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤200个/mL；UP级：金属离子≤10ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤300个/mL；EL级：金属离子≤100ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤500个/mL；（5）异丙醇：纯度≥99.999%、水份≤20ppm；单个金属离子≤10ppt、总计金属离子≤100ppt；颗粒物≥0.05μm，≤500个（6）磷酸三乙酯：纯度≥99.99%，杂质总和≤5ppb，铝≤0.35ppb，钴≤0.4ppb，铁≤0.4ppb，锰≤0.4ppb，镍≤0.15ppb；氯含量≤1ppm，水≤20ppm；（7）三氯化铝：纯度≥99.99%，杂质总和≤100ppm，铬≤5ppm，铜≤2ppm，锰≤2ppm，镍≤5ppm，锶≤3ppm；锌≤5ppm；（8）四氯化铪：纯度≥99.99%，杂质总和≤200ppm，铬≤4ppm，铜≤4ppm，锰≤2ppm，镍≤3ppm，锶≤3ppm；锌≤150ppm；（9）5纳米制程用超净高纯半导体级过氧化氢：金属离子≤5ppt，阴离子≤30ppb，TOC≤2ppm，硅≤20ppb；（10）丙二醇乙醚、2-羟基异丁酸甲酯、甲醇：UPSS级：金属离子≤0.1ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤50个/mL；UPS级：金属离子≤1ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤200个/mL；（11）丙二醇甲醚醋酸酯、苯甲醚、甲基叔丁基醚、乙酸丁酯、正丁醇：UPS级：金属离子≤1ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤200个/mL；（12）丙二醇甲醚：UPSS级：金属离子≤0.1ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤50个/mL；（13）半导体级盐酸：金属离子＜0.01ppb，颗粒物(≥0.2μm）＜100个/mL；（14）半导体级氢氧化钾：金属离子＜20ppb，钠离子＜100ppm；（15）半导体级氨水：金属杂质含量≤0.005ppb，颗粒(≥0.2μm）小于5个/mL；（16）高纯氢氟酸缓冲腐蚀液：金属杂质含量≤0.01ppb，颗粒(≥0.2μm）小于5个/mL。
243关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料集成电路用光刻胶及其关键原材料和配套试剂（1）I线光刻胶：6英寸、8英寸、12英寸集成电路制造用I线光刻胶；（2）KrF光刻胶：8英寸、12英寸集成电路制造光刻工艺用KrF光刻胶；（3）ArF/ArFi光刻胶：12英寸集成电路制造光刻工艺用ArF和ArFi浸没式光刻胶；（4）光刻胶树脂及其单体：KrF/ArF/ArFi光刻胶专用树脂及其高纯度单体、感光性聚酰亚胺树脂；（5）光刻胶专用光引发剂：I线/KrF/ArF光刻胶专用高纯度化学增幅型光致产酸剂，纯度超过99.50%，且26种金属离子含量都低于20ppb；G线/I线感光性化合物，有效含量超过97.00%，且26种金属离子含量都低于100ppb；（6）光刻胶抗反射层、光刻胶顶部和光刻胶底部涂层：与KrF、ArF和ArFi浸没式光刻胶配套的抗反射层材，顶部涂层材以及底部涂层材；（7）厚膜光刻胶：3D集成等系统级封装用光刻胶；（8）与KrF、ArF和ArFi浸没式光刻胶配套的光刻胶显影液、剥离液、稀释剂、蚀刻液等：稀释剂纯度≥99.9999%，Al≤50ppb，Fe≤50ppb，K≤20ppb，Ti≤10ppb；剥离液：纯度≥99.9999%，Al≤30ppb，K≤50ppb，Ti≤10ppb，Mo≤10ppb；显影液：纯度≥99.9999%，Al≤50ppb，Fe≤70ppb，Cr≤30ppb，Ti≤10ppb；蚀刻液：纯度≥99.9999%，Al≤5ppb，Cr≤1ppb，Fe≤5ppb，K≤5ppb；（9）G线/I线正性光刻胶用酚醛树脂：单项金属元素含量≤50ppb，游离单体≤1%，分子量范围2000～30000。
244关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料特种气体（1）一氟甲烷：纯度≥99.999%，N2≤4ppmv，Ar+O2≤2ppmv，CO2≤2ppmv，H2O≤2ppmv，酸度以HF计≤0.1ppm；（2）溴化氢：纯度≥99.999%，H2≤10ppmv，N2+O2≤2ppmv，H2O≤1ppmv，CO≤1ppmv，CO2≤1ppmv，CH4≤1ppmv，HCl≤10ppmv，金属离子Fe≤50ppb，其他金属离子≤1000ppb；（3）三氟化氯（ClF3）：纯度≥99.995%，HF含量≤30ppm，总金属离子≤0.001ppmw；（4）氟化氢：产品纯度≥99.999%，具体指标：Na≤50ppb，Ca≤50ppb，Cr≤50ppb，Fe≤50ppb，Ni≤50ppb，Cu≤50ppb；（5）氟氮混合气：氟体积比20±2%，氧（O2）含量≤200ppm，四氟化碳（CF4）含量≤20ppm，HF含量≤100ppm；（6）N，N-二硅烷基-硅烷胺（TSA）：纯度≥99.9999%，Al≤1ppb，Fe≤3ppb，K≤2ppb，Mo≤1ppb，氯化物≤5ppm；（7）乙硅烷：纯度≥99.998%，H2≤200ppmv，N2≤1ppmv，O2+Ar≤1ppmv，CO≤1ppmv，CH4≤1ppmv，CO2≤1ppmv，TotalChlorosilanes≤0.2ppmv，HigherSilanes≤50ppmv，SiH4≤200ppmv，Siloxanes≤5ppmv，H2O≤1ppmv；（8）乙硼烷：纯度≥99.9999%，Al≤1ppb，Fe≤1ppb，K≤2ppb，Mo≤1ppb；（9）二氯硅烷（DCS）：纯度≥99.9999%，Al≤1ppb，B≤2ppb，Fe≤3ppb，Ti≤1ppb；（10）六氯乙硅烷（HCDS）：纯度≥99.9999%，Al≤2ppb，Fe≤2ppb，K≤1ppb，Ni≤2ppb，己烷≤0.03%；（11）正硅酸乙酯：纯度≥99.9999%，杂质总和≤1ppb，铝≤0.1ppb，钴≤0.1ppb，铁≤0.1ppb，锰≤0.1ppb，镍≤0.1ppb；氯含量≤0.05ppm，水≤5ppm；（12）双（二乙基胺基）硅烷、磷化氢、砷化氢：纯度≥99.9999%；（13）四氟化锗：纯度≥99.99%，锗-72丰度50～52%，Ar+O2≤50ppm，CO2≤25ppm，CO≤25ppm，N2≤25ppm，SO2≤25ppm；（14）锗烷（GeH4）：纯度≥99.999%，H2≤50ppm，N2≤2ppm，O2+Ar≤0.5ppm，CH4≤1ppm，CO2≤1ppm，CO≤1ppm，H2O≤0.5ppm，Ge2H6≤20ppm，Ge3H8≤1ppm；（15）SO2：SO2≥99.9995%，CS2≤1ppm，C4H10≤0.5ppm，H2O≤3ppm；（16）高介电常数有机铪前驱体材料：产品金属纯度≥99.9999%，Zr≤20ppb，Ti≤20ppb，Li≤10ppb，Cl≤10ppm；（17）高介电常数有机锆前驱体材料：产品金属纯度≥99.9999%，Hf≤50ppb，Ti≤30ppb，Li≤10ppb，Cl≤10ppm；（18）ppb级超高纯氮气（GN2）：O2≤50ppbv，H2≤50ppbv，H2O≤95ppbv，CO≤10ppbv，CO2≤10ppbv，THC≤50ppbv，Particle≤5ppbv；（19）ppb级超高纯氮气（PN2）：O2≤1ppbv，H2≤1ppbv，H2O≤1ppbv，CO≤1ppbv，CO2≤1ppbv，THC≤1ppbv，Particle≤1ppbv；（20）ppb级超高纯氧气（PO2）：N2≤100ppbv，Ar≤100ppbv，H2≤1ppbv，H2O≤1ppbv，CO≤1ppbv，CO2≤1ppbv，THC≤1ppbv，Particle≤1ppbv；（21）ppb级超高纯氩气（PAr）：N2≤1ppbv，O2≤1ppbv，H2≤1ppbv，H2O≤1ppbv，CO≤1ppbv，CO2≤1ppbv，THC≤1ppbv，Particle≤1ppbv；（22）ppb级超高纯二氧化碳（PCO2）：O2≤1ppbv，H2≤1ppbv，H2O≤1ppbv，CO≤1ppbv，Particle≤1ppbv；（23）ppb级超高纯氦气（PHe）：N2≤1ppbv，O2≤1ppbv，H2≤1ppbv，H2O≤1ppbv，CO≤1ppbv，CO2≤1ppbv，THC≤1ppbv，Particle≤1ppbv；（24）ppb级超高纯氢气（PH2）：N2≤1ppbv，O2≤1ppbv，H2O≤1ppbv，CO≤1ppbv，CO2≤1ppbv，THC≤1ppbv，Particle≤1ppbv；（25）二氯甲烷：UPS级：金属离子≤1ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤200个/mL；UP级：金属离子≤10ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤300个/mL；EL级：金属离子≤100ppb，颗粒物(≥0.2μm）≤500个/mL；（26）高纯四氟化硅（5N）：纯度≥99.999%；杂质含量≤10ppb；总金属离子≤1ppm；（27）反式-1，2-二氯乙烯：纯度≥99.999995%，单项金属≤1ppb，水分≤15ppm；（28）氯化氢基混配气：O2≤1.0ppm，SiF4≤1.0ppm，CH4≤1.0ppm，N2≤5.0ppm，HF≤1.0ppm，CO2≤1.0ppm，COF2≤1.0ppm，SF6≤1.0ppm，CO≤1.0ppm，NF3≤1.0ppm；（29）氢氖混配气：H2O≤0.3ppm，O2≤0.1ppm，N2≤0.5ppm，He≤6.0ppm，CH4≤0.1ppm，CO≤0.1ppm，CO2≤0.1ppm，CF4≤0.1ppm；（30）六氟丁二烯：纯度≥99.9%，N2＜10ppmv，Ar+O2＜5ppmv，CO2＜5ppmv，异丙醇＜5ppmv，H2O＜10ppmv，酸度以HF计＜20ppm；（31）高纯硅烷（6.8N）：纯度≤99.99998%，金属离子杂质≥0.2ppb。
245关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料超薄电子布（1）1035电子布：经纬密度（26±2）×（26.8±2）根/cm，厚度0.028±0.01mm，单位面积质量30±1g/m2；（2）1037电子布：经纬密度27.6×28.7根/cm，厚度0.027±0.01mm，单位面积质量23±1g/m2；（3）1010电子布：经纬密度（38±2）×（38±2）根/cm，厚度0.011±0.01mm，单位面积质量10.1±1g/m2；（4）极薄型电子布1027：经纬密度29.5×29.5根/cm，厚度0.019±0.01mm，单位面积质量20±1g/m2；（5）极薄型电子布1017：经纬密度37.4×37.4根/cm，厚度0.014±0.01mm，单位面积质量12±1g/m2。
246关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料平板显示用光刻胶及其关键原材料和配套试剂（1）LCD用负型光刻胶用树脂：①黑色光刻胶用树脂：Mw≤20000，PDI≤3.0，酸值≤180mgKOH/g，固含量：40.0～60.0%；②间隙子光刻胶用树脂：Mw3000～30000，PDI≤3.0，酸值≤200mgKOH/g，固含量：20.0～40.0%；③平坦层光刻胶用树脂：Mw：3000～30000，PDI≤3.5，酸值≤200mgKOH/g，固含量：20.0～60.0%；④彩色光刻胶用树脂：Mw：2000～30000，PDI≤3.5，酸值≤200mgKOH/g，固含量：20.0～60.0%；进行重均分子量（Mw）、分子量分布（PDI）、酸值、金属离子(≤100ppm）等核心指标的管控；（2）AMOLED用正性光刻胶：解像度≤1.5μm，Hole≤3μm，金属离子含量（Na、Fe、Zn等）≤100ppb；（3）高性能彩色色浆材料：粘度：3±0.5mPa∙s，固含量：15wt%，残膜率≥80%，综合色域≥45%NTSC，RY≥20，GY≥50，BY≥10。①红色色浆对比度≥6000，Y值≥16.5；②绿色色浆对比度≥11000，Y值≥54；③蓝色色浆对比度≥7000，Y值≥10.5。以上三色色度变化：在250℃加热l小时之后≤3；色浆粒：D50≤80nm；粘度变化（3个月）：≤20%；④黑色色浆：高阻抗值≥109Ω,光密度值≥3.5；（4）低温固化彩色光刻胶：粘度：5～10cps，固含量：20%～28%，同时满足常规显示玻璃和柔性基材的使用要求，如：UTG、CPI、PET、PC等。可满足100℃以内后烤固化要求。在此条件下的可靠性应达到：双85240h测试、百格测试5B，耐UV测试（96h，△E≤3%）。
247关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料I-线光敏型聚酰亚胺（PI）绝缘材料（1）OLED用正型绝缘材料：固化温度≤230℃,显影留膜率≥70%，锥度角20～40°,PCT试验≥500hr（SiO2、Glass）；（2）晶圆级封装用负型绝缘材料：固化温度≤200℃,与铜附着力≥60MPa。
248关键战略材料先进半导体材料和新型显示材料薄膜太阳能电池及构件（1）CIGS太阳能电池：转化效率≥14%，产品载荷强度≥2400Pa，防火等级A级，温度系数低≤-0.39%/℃,工作温度范围-40℃~85℃;（2）碲化镉太阳能电池：发电效率≥15%，单片面积≥1.92m2。