首台套-02-电子专用装备

首台套对接
序号装备类别编码装备类别装备名称核心技术指标
502.1.1集成电路生产装备硅外延炉晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
应用材料：硅、锗硅
512.1.2集成电路生产装备湿法清洗机晶圆直径：300mm；
工艺节点优于28nm；
用于关键层清洗
522.1.3集成电路生产装备氧化炉晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm
532.1.4集成电路生产装备涂胶显影机晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
用于关键层涂胶显影
542.1.5集成电路生产装备氟化氪光刻机晶圆直径：300mm；
照明波长：248nm；
分辨率≤110nm；
套刻≤25nm
552.1.6集成电路生产装备氟化氩光刻机晶圆直径：300mm；
照明波长：193nm；
分辨率≤65nm；
套刻≤8nm
562.1.7集成电路生产装备高能离子注入机晶圆直径：300mm；
注入均匀性≤0.5%；
能量范围≥1MeV；
能量纯度：99.9%
572.1.8集成电路生产装备低能离子注入机晶圆直径：300mm；
能量范围：200eV～50KeV；
注入剂量：5×1013～5×1016ions/cm²;
束流大小：0.5～30mA
582.1.9集成电路生产装备等离子干法刻蚀机晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
用于关键层刻蚀
592.1.10集成电路生产装备特种金属膜层刻蚀机刻蚀晶圆规格：12英寸；
CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；
60集成电路生产装备MTJ特征CD：25～80nm；
MTJ侧壁损伤≤2nm；
MTJ侧壁陡直度≥80°
612.1.11集成电路生产装备化学气相沉积装备晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
用于关键层沉积
622.1.12集成电路生产装备物理气相沉积装备晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
用于关键层沉积
632.1.13集成电路生产装备化学机械抛光机A铜抛光：
晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于14nm；
片内及片间非均匀性≤5%；
抛光速率＞5000Å/min
642.1.13集成电路生产装备化学机械抛光机B钨抛光：
晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于14nm；
片内及片间非均匀性≤5%；
抛光速率≥2000Å/min
652.1.13集成电路生产装备化学机械抛光机C铝抛光：
晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
片内及片间非均匀性≤5%；
抛光速率≥2500Å/min
662.1.13集成电路生产装备化学机械抛光机D介质抛光：
晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm；
片内及片间非均匀性≤5%；
抛光速率≥1000Å/min
672.1.14集成电路生产装备激光退火装备晶圆直径：300mm；
工艺节点等于或优于28nm
682.1.15集成电路生产装备光学线宽量测装备动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°;
准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；
表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
692.2.1 片式元件生产装备多层片式陶瓷电容器用辊印机有效运行时间≥80%；
膜卷最大可安装直径≥500mm；
印刷宽度≥330mm；
印刷速度≥100m/min；
印刷辊与黑胶辊之间的平行度≤30μm
702.2.2 片式元件生产装备多层片式陶瓷电容器用叠层机叠层尺寸≥310mm×310mm；
叠层效率≤7s；
图像重复精度：±2μm，对位台定位精度：±2μm；
叠层图形变形量：△X≤0.015mm，△Y≤0.015mm；
单膜厚度≤2μm，层数可达1000层；
有效运行时间占比≥85%
712.2.3 片式元件生产装备薄膜流延机适用PET膜宽：350mm；
最大流膜宽度≥310mm；
流延厚度：1～10μm，流延速度≥100m/min；
烘干温度≤120℃;
流延极差：±5%
722.3.1新型显示生产装备超薄玻璃一次拉制成形装备厚度≤70μm；
厚度差≤10%；
透过率≥90%
732.4.1 太阳能电池生产装备钙钛矿真空镀膜机膜厚均匀性≤5%；
片间膜厚稳定性≤2%；
组件尺寸≥0.72m2；
生产节拍≤60s
742.4.2 太阳能电池生产装备钙钛矿涂布机膜厚均匀性≤5%；
片间膜厚稳定性≤5%；
组件尺寸≥0.72m2；
生产节拍≤60s